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The absorption spectrum of hydrogenated silicon carbide nanocrystals from ab initio calculations

机译:氢化碳化硅纳米晶的吸收光谱   从ab initio计算

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摘要

The electronic structure and absorption spectrum of hydrogenated siliconcarbide nanocrystals (SiCNC) have been determined by first principlescalculations. We show that the reconstructed surface can significantly changenot just the onset of absorption, but the \emph{shape} of the spectrum athigher energies. We found that the absorption treshold of the reconstructedSiCNs cannot be accurately predicted from traditional density functional theorycalculations.
机译:氢化碳化硅纳米晶体(SiCNC)的电子结构和吸收光谱已通过第一性原理计算确定。我们表明,重构的表面不仅可以显着改变吸收的开始,而且在较高能量下光谱的\ emph {shape}也可以改变。我们发现,从传统的密度泛函理论计算不能准确预测重建的SiCNs的吸收阈值。

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